牛津检测设备 等阴离子体促进化学上的气质联用沉淀积累系统的（PECVD）PlasmaPro 100
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参数：
简介：设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。 高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更换硬件...
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- 产品介绍
设定PECVD加工过程状态的为的是要在调控保护膜效果，如突显出岁月率、热应力、电学基本特性和湿法检查是否刻蚀传输传输速度的前题下，生育不规则性好且的堆积传输传输速度高的保护膜。
使用均匀的的高导通道径衔接的腔室，将响应塑料颗粒运输到衬底
在达到低标准气压的同时，能接受应用较高的固体通量
极度可调的下参比电极
有效充分的通过等阴阳离子体的立体因素，在绝佳的位置具体条件下，衬底板材的厚度较大 可以达到10mm
电极片的高温依据宽（-150°C至+ 400°C），可根据液氮，溶液重复冷库安装小编机或阻值丝微波加热
必选的吹排及流体根换单元式可自動来模式英文设置
由再嵌套循环制冷压缩机机单位展现给的药液控温的参比电极
卓越的衬底工作温度操作
频射工率初始化在喷咀上，此外优化提升有机废气气体气流输送
提供数据还具有粉红噪声/频射就能职能的不均的等铁离子体施工工艺，可精确性调整透明膜内应力
ICP源面积为65mm，180mm，300mm
有效确保比较大200mm晶圆的生产技术一致性
高抽气业务能力
带来了了更宽的的工艺标准气压窗口最大化
晶圆压盘与背氦制冷空调
最好的晶片湿度把握
- 优水平的聚酯薄膜，高出现和突出的均性
- 电级的适合的温度条件宽
- 兼容200mm以內大多数长宽比的晶圆
- 可高效更改cpu以常主要用于各种不同宽度的晶圆
- 成本费低且便于维修保养
- 热敏电阻丝电加热电极片，高水温可以达到400°C或1200°C
- 即时监测系统清理的工艺设计， 然后可会自动止住的工艺设计
应用
- 高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途
- 用于高亮度LED 生产的硬掩模沉积和刻蚀
特点
使用均匀的的高导通道径衔接的腔室，将响应塑料颗粒运输到衬底
在达到低标准气压的同时，能接受应用较高的固体通量
极度可调的下参比电极
有效充分的通过等阴阳离子体的立体因素，在绝佳的位置具体条件下，衬底板材的厚度较大 可以达到10mm
电极片的高温依据宽（-150°C至+ 400°C），可根据液氮，溶液重复冷库安装小编机或阻值丝微波加热
必选的吹排及流体根换单元式可自動来模式英文设置
由再嵌套循环制冷压缩机机单位展现给的药液控温的参比电极
卓越的衬底工作温度操作
频射工率初始化在喷咀上，此外优化提升有机废气气体气流输送
提供数据还具有粉红噪声/频射就能职能的不均的等铁离子体施工工艺，可精确性调整透明膜内应力
ICP源面积为65mm，180mm，300mm
有效确保比较大200mm晶圆的生产技术一致性
高抽气业务能力
带来了了更宽的的工艺标准气压窗口最大化
晶圆压盘与背氦制冷空调
最好的晶片湿度把握
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