牛津检测设备 电感交叉耦合等阴阳离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris
英文名称：许多机器设备与工具软件
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简介：牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris 专为刻蚀坚硬材料（如GaN，蓝宝石和SiC）所需要使用的腐蚀性化学气体而设计，可在最大直径200mm的晶圆上实现快速均匀刻蚀。 高效的刻蚀速率 低购置成本 专为腐蚀性...
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- 产品介绍
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris专为刻蚀坚硬材料（如GaN，蓝宝石和SiC）所需要使用的腐蚀性化学气体而设计，可在最大直径200mm的晶圆上实现快速均匀刻蚀。
PlasmaPro 100 Polaris多晶硅圆刻蚀机系统为到比较精益求精的刻蚀视觉效果供给了智力应对设计方案，使您内行业上能恢复竞争激烈优越。
主动地放凉参比电极 - 在刻蚀的过程 中长期保持样机平均温度
高公率ICP源 - 带来高强度等阴阳离子体
信得过的来源于且非常易定期维护 - 可控制长时期顺利运作
电磁波垫环 - 加强阴离子的有效控制和均衡性
静电能压盘水平 - 选用做蓝原石，已经蓝原石和硅基的GaN
预热的腔地下室衬 - 调优以增多腔壁形成沉积
发达的系统自动配对单元尺寸（AMU） - 可以提供怏速，效率和准确性的配对，确保安全工艺设计的高精准度从复性
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
- 高的刻蚀传输速度
- 低折旧费直接费用
- 专为灼伤性的电学完分而设计
- 好品质的刻蚀不光滑性
- 适用人群于蓝玛瑙的静电反应压盘的技术
- 蓝玛瑙和硅上的GaN
- 高导通抽气系統
- 可与其余PlasmaPro机房工程化
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris特征
PlasmaPro 100 Polaris多晶硅圆刻蚀机系统为到比较精益求精的刻蚀视觉效果供给了智力应对设计方案，使您内行业上能恢复竞争激烈优越。
主动地放凉参比电极 - 在刻蚀的过程 中长期保持样机平均温度
高公率ICP源 - 带来高强度等阴阳离子体
信得过的来源于且非常易定期维护 - 可控制长时期顺利运作
电磁波垫环 - 加强阴离子的有效控制和均衡性
静电能压盘水平 - 选用做蓝原石，已经蓝原石和硅基的GaN
预热的腔地下室衬 - 调优以增多腔壁形成沉积
发达的系统自动配对单元尺寸（AMU） - 可以提供怏速，效率和准确性的配对，确保安全工艺设计的高精准度从复性
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris应用
- RF器件SiC通孔刻蚀
- 功率半导体器件SiC形貌刻蚀
- HBLED GaN刻蚀
- RF device GaN etch
- Patterned Sapphire Substrate (PSS) Etch
- SiO2 and quartz etch
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
电感耦合等离子体刻蚀要点
- 高刻蚀速率
- 出色的均匀性
- 低气压下高密度的反应粒子
- 精准的衬底直流偏压控制
- 精准的离子能量控制
- 更宽的电极温度范围 -150ºC至+400ºC
电感耦合等离子体刻蚀特点及优势
- 高刻蚀速率可由高离子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度来实现
- 能够利用低离子能量实现对选择比和损伤的控制
- 独立的射频和电感耦合等离子体发生器分别提供了对离子能量和离子密度的独立控制, 从而实现了高度的工艺灵活性
- 在低气压工艺下同时仍具有高离子密度，这样可以改善对外形的控制
- 化学和离子诱导刻蚀
- 也可以在RIE模式下运行，以满足某些慢速刻蚀的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉积
- 高导通的泵送端口可提供高气体流量，以实现快速的刻蚀速率
- 静电屏蔽消除了电容耦合，减少了对器件的电学损伤，以及在腔室内减少了杂质颗粒的形成
- 标准化的晶圆压盘与氦冷却，提供了出色的温度控制，同时可以选择更宽的温度范围
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