牛津检测设备 等正离子体资料化学反应气质联用沉积状系统化（PECVD）PlasmaPro 80
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简介：PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色...
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- 产品介绍
PlasmaPro 80是种构造紧奏型且确定便捷的家庭型直立式系统，不错提供了多种多样刻蚀和沉积状的处理好规划。 它更易放入，能够确定，且能狠抓施工方法稳定性方面。直立式制定构思可体现加快晶圆装卸货物，是研究探讨、这个原型制定构思和小文件批量分娩的不错确定。 它可以通过SEO优化的电极材料待冷却和卓越的衬底温度表把握来体现高稳定性方面施工方法。
- 直闭式制定不可以短时间运输晶圆
- 经验丰富的刻蚀把控和数率测得
- 好品质的晶圆体温平均性
- 晶圆最主要达到200mm
- 添置费用低
- 符合要求半导体制造行业制造行业 S2 / S8标准化
应用
- 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途
- 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
特点
- 小尺寸系统——易于安置
- 优化了的电极冷却——衬底温度控制
- 高导通的径向（轴对称）抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率
- 增加了<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录
- 近距离耦合涡轮泵——提供优越的泵送速度加快气体的流动速度
- 关键部件容易触及——系统维护变得直接简单
- X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配
- 通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快
- 用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界
- 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测
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