牛津机器设备 PlasmaPro 100 ICPCVD
品牌：一些设备与工貝
国产品牌：
主要参数：
简介：牛津仪器 PlasmaPro 100 ICPCVD特点 更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺 高质量薄膜 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 紧密的设计，布局灵活 电阻丝加热电...
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- 产品介绍
牛津仪器 PlasmaPro 100 ICPCVD特点
- 更有效的粗糙性、高时产甚至精美等级的新工艺
- 优质化量塑料膜
- 探针的可用温度表的范围宽
- 兼容200mm下类所有长宽高的晶圆
- 快换个有差异 尺寸图晶圆
- 购进利润低且可以运营维护
- 密切协作的结构设计，的布置灵便
- 阻值丝加熱电极材料，极限温度表相当于400°C或1200°C
- 随时探测除垢加工， 而且可系统自动中止加工
牛津仪器 PlasmaPro 100 ICPCVD应用
- 在低温度下沉积低损伤的薄膜
- 可沉积的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，衬底温度可低至5ºC
- 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工艺的均匀性
- 晶圆尺寸高至200mm
- 电极的温度范围为5ºC至400ºC
- 已获得专利的ICPCVD气体配送技术
- 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺
全新成品
涉及新产品
