牛津设备 电感解耦等阴离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas
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简介：牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，Plasm...
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- 产品介绍
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。
硬件设备设汁使同样腔室中可采取Bosch™和特高低温刻蚀加工制作工艺 ，随着奈米和毫米型式刻蚀均可达成。
兼容50mm至200mm的衬底 - 确认您只需每台软件系统，便享有从研制电子元器件到量产u盘的工作能力
全自动一致 - 有方法灵便性
挺高数据总流量的质量管理数据总水流量计及等正离子突发器 - 人权基溶解度挺高
减小或增大的腔体长宽和高质量率的泵 - 确定实验室气体公路通
迅速近焦感解耦产品质量用户量计 - 迅速把握（开始为ALD而发展）
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
- 细腻内壁工艺技术
- 高刻蚀传输速率腔刻蚀
- 玄妙宽比加工
- 碗形通孔刻蚀
- 丰富的APP前沿技术
- 机诫或如何消除静电压盘
- 受热内衬
- 改善效果去可重复性
- 廷长了三次清洁工作间的的平均时光间断（MTBC）
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas特征
硬件设备设汁使同样腔室中可采取Bosch™和特高低温刻蚀加工制作工艺 ，随着奈米和毫米型式刻蚀均可达成。
兼容50mm至200mm的衬底 - 确认您只需每台软件系统，便享有从研制电子元器件到量产u盘的工作能力
全自动一致 - 有方法灵便性
挺高数据总流量的质量管理数据总水流量计及等正离子突发器 - 人权基溶解度挺高
减小或增大的腔体长宽和高质量率的泵 - 确定实验室气体公路通
迅速近焦感解耦产品质量用户量计 - 迅速把握（开始为ALD而发展）
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas应用
- 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
- 二氧化硅和石英刻蚀
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
电感耦合等离子体刻蚀要点
- 高刻蚀速率
- 出色的均匀性
- 低气压下高密度的反应粒子
- 精准的衬底直流偏压控制
- 精准的离子能量控制
- 更宽的电极温度范围 -150ºC至+400ºC
电感耦合等离子体刻蚀特点及优势
- 高刻蚀速率可由高离子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度来实现
- 能够利用低离子能量实现对选择比和损伤的控制
- 独立的射频和电感耦合等离子体发生器分别提供了对离子能量和离子密度的独立控制, 从而实现了高度的工艺灵活性
- 在低气压工艺下同时仍具有高离子密度，这样可以改善对外形的控制
- 化学和离子诱导刻蚀
- 也可以在RIE模式下运行，以满足某些慢速刻蚀的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉积
- 高导通的泵送端口可提供高气体流量，以实现快速的刻蚀速率
- 静电屏蔽消除了电容耦合，减少了对器件的电学损伤，以及在腔室内减少了杂质颗粒的形成
- 标准化的晶圆压盘与氦冷却，提供了出色的温度控制，同时可以选择更宽的温度范围
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